在国家重点研发计划项目支持下，中国科学院上海技术物理研究所、红外物理国家重点实验室陆卫、陈效双、王林、陈刚及合作者们避开了传统器件的设计思路，采用四端电阻结构实现对不同器件的电极互连（如图所示），研究发现了通过电极之间的互连产生类似于三极管的器件开关性能。同时，研究人员通过电极之间的偏压效应产生石墨烯沟道的非对称光电流，在偏压作用下器件光电流呈现出线性上升的趋势，产生光电流增益，对应器件响应出现数量级的提高。此外，研究表明石墨烯和金属接触位置的局域场可以驱动非平衡载流子，诱导石墨烯沟道载流子分布的变化，在偏压场作用下器件产生光电导效应，器件响应可以达到280V/W，为当前国际报道的最高值。该项研究工作将为实现便携式成像系统、人体医学太赫兹表征设备的核心器件提供崭新的途径，该项研究工作于2018年4月18日发表在NPG Asia Materials杂志上。

（中国粉体网编辑整理/平安）