构建碳化硅晶须/氧化石墨烯气凝胶中的C-Si异质结界面以提升微波吸收性能
电磁波作为一种由相同且互相垂直的电场与磁场在空间中衍生发射的震荡粒子波,无时无刻不在为我们的生活提供着便利,如手机通讯、卫星信号、导航、遥控等。然而伴随着现代化信息技术的飞速发展,复杂的电磁环境也对人体健康、高精尖设备的运行等带来了潜在的威胁。为解决这一问题,各种吸波及屏蔽材料的研发、设计及应用纷至沓来。但就目前应用的材料而言,仍存在着吸收性填料填充率高,密度大,机械性能、耐腐蚀性能差的缺点。因此,如何发展具有“薄”、“轻”、“宽”、“强”的新型吸波屏蔽材料仍是研究者亟待解决的问题。
近日,中科院山西煤化所709组在国际期刊Carbon上发表了题为”Construction of C-Si Heterojunction Interface in SiC Whisker/Reduced Graphene Oxide Aerogels for Improving Microwave Absorption”的研究型文章(Carbon.https://doi.org/10.1016/j.carbon.2020.03.049),论文第一作者陈景鹏、共同第一作者贾辉,通讯作者陈成猛研究员。作者通过原位生长(IS)和物理混合(PM)方法制备了三维碳化硅晶须/还原氧化物石墨烯气凝胶。在不损伤三维石墨烯气凝胶结构的条件下,通过真空压力法将聚二甲基硅氧烷(PDMS)浸入这些复合气凝胶材料中,以研究其在2-18 GHz的微波吸收性能。研究了SiC晶须对介电损耗和阻抗匹配的影响以及阐述了碳化硅晶须和石墨烯之间的C-Si异质结界面对微波吸收性能的产生影响的具体原因。最后,考虑到材料的实际应用,研究了制备的吸波材料符合PDMS后的力学及热学性能。
图1碳化硅晶须复合还原氧化石墨烯的结构示意图及微波吸收性能
构建碳化硅晶须/氧化石墨烯气凝胶中的C-Si异质结界面以提升微波吸收性能
电磁波作为一种由相同且互相垂直的电场与磁场在空间中衍生发射的震荡粒子波,无时无刻不在为我们的生活提供着便利,如手机通讯、卫星信号、导航、遥控等。然而伴随着现代化信息技术的飞速发展,复杂的电磁环境也对人体健康、高精尖设备的运行等带来了潜在的威胁。为解决这一问题,各种吸波及屏蔽材料的研发、设计及应用纷至沓来。但就目前应用的材料而言,仍存在着吸收性填料填充率高,密度大,机械性能、耐腐蚀性能差的缺点。因此,如何发展具有“薄”、“轻”、“宽”、“强”的新型吸波屏蔽材料仍是研究者亟待解决的问题。
近日,中科院山西煤化所709组在国际期刊Carbon上发表了题为”Construction of C-Si Heterojunction Interface in SiC Whisker/Reduced Graphene Oxide Aerogels for Improving Microwave Absorption”的研究型文章(Carbon.https://doi.org/10.1016/j.carbon.2020.03.049),论文第一作者陈景鹏、共同第一作者贾辉,通讯作者陈成猛研究员。作者通过原位生长(IS)和物理混合(PM)方法制备了三维碳化硅晶须/还原氧化物石墨烯气凝胶。在不损伤三维石墨烯气凝胶结构的条件下,通过真空压力法将聚二甲基硅氧烷(PDMS)浸入这些复合气凝胶材料中,以研究其在2-18 GHz的微波吸收性能。研究了SiC晶须对介电损耗和阻抗匹配的影响以及阐述了碳化硅晶须和石墨烯之间的C-Si异质结界面对微波吸收性能的产生影响的具体原因。最后,考虑到材料的实际应用,研究了制备的吸波材料符合PDMS后的力学及热学性能。
图1碳化硅晶须复合还原氧化石墨烯的结构示意图及微波吸收性能